立方GaN相关论文
利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN......
采用X射线双晶衍射与三轴晶衍射技术分析了立方GaN/GaAs(001)外延层的结构特性。GaN(002)、(004)晶面的结构振幅相近,但(002)晶面的......
研究了以(001)GaAs为衬底的用ECRPAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质,阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中,衬底温度约为600℃,反应器内压力约04Pa。......
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研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 G......
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
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我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 (ECR PEMOCVE)技术在GaAs( 0 0 1 )衬底上外延生长立方GaN的过程中......
我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVE)技术在GaAs(001)衬底上外延生长立方GaN的过程中衬底......
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