研究了1 120 ℃高温淬火对非掺杂半绝缘LECGaAs中 EL2 浓度的影响．发 现真空条件下，在1 120 ℃热处理2 h ~ 8 h并快速冷却后，样品中EL......

通过测量ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管的饱和漏－源电流分布研究了深施工主缺陷ＥＬ２对半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中注入硅激活率的影响，发现激活率随ＥＬ２浓度的增加而增......