烧结碳化硅相关论文
利用中国科学院近代物理研究所320 kV高压平台提供的氦离子辐照烧结碳化硅,辐照温度从室温到1000℃,辐照注量为1015～1017 cm-2.辐照......
本文报道了在室温和低温下对常压烧结碳化硅中气孔诱发裂纹的研究工作。比较了不同温度下常压烧结碳化硅陶瓷抗弯强度的韦伯模......
在以碳黑、碳化硼为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结过程中,通过引入聚乙二醇(PEG)为粘结剂，研究了不同PEG含量对碳化硅陶瓷密度和力学性......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
运用在线电解磨削技术(ELID)加工大型碳化硅球面镜(口径ф360 mm),设计了一套专用的静压组合夹具用以抑制加工过程中因磨削力引起......
摘要：通过等离子体氧化、热氧化、电化学氧化在碳化硅基材上获得软质氧化层，利用软磨粒抛光实现氧化物的快速去除，有利于提高材料去除......
烧结碳化硅(RB-Si C)的加工技术已经成为光学镜面加工领域的研究热点之一。由于RB-Si C材料硬度大、构成组分多,目前加工中存在的......
烧结碳化硅具有超硬耐磨、优良的抗氧化特性、耐化学腐蚀特性、高热传导率以及良好的耐热性,然而碳化硅作为陶瓷材料,具有硬度高、......
