电活性杂质相关论文
随着半导体材料的发展,近来对薄膜半导体材料的分析提出了新的要求。目前,国外己采用了各种分析方法,如离子探针质谱、放射化学分......
使用MOCVD技术生长GaAs,结果表明,纯度GaAs中起支配作用的电活性杂质是C和Si。综合C和Si的作用,建立了简单的热力学模型,得到As/Ga......
一、引言 众所周知,高纯外延材料是器件制作的基础。但是,在实际工艺过程中,尽管采用高纯源,总不免有不同种类、不同含量的杂质进......
硅中扩散p-n结形成时的“自吸除”效应=[刊.俄]-1993.22(1).-22~26在半导体基片的非工作区扩散掺杂至接近掺杂元素的极限溶解度。是最为有效的吸除方法之一。......