电致相变相关论文
一定强度的电场作用下，弛豫铁电单晶中可以诱导出铁电—铁电相变，且诱导相变电场强度因晶体的组分和取向的不同而不同[1-2].Shrout等......
通过引入SiO2氧化物缓冲层,在金属Pt电极上利用射频磁控溅射技术成功制备出高质量的VO2薄膜.详细研究了SiO2厚度对VO2薄膜的晶体结......
相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质。为了制备基于VO_2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用......
太赫兹波(Terahertz,THz)是介于微波和红外波之间的电磁频谱。传统的高频电子器件和光学器件在THz频段不适用,因此对可应用在THz频......
压电铁电陶瓷是一类重要的先进功能材料，广泛应用于信息的转换、存储、检测、显示等方面。目前，大多数铁电压电陶瓷为铅基陶瓷，主要以......
PCRAM主要是利用相变存储材料非晶态与晶态结构转变之间的电阻值差进行数据的存储。目前PCRAM对于材料的要求也日趋严格,比如提高......
本文对温度变化导致相变的蜡固、冰固及低熔点合金等夹具进行了分析,对电致相交技术进行了介绍,并对各种利用相变固紧的机床夹具的......
采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO2（FTO）导电玻璃衬底上制备VO2薄膜,研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO2薄膜性能......
采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法，在掺氟SnO2（FTO）导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO2薄膜，对薄膜的结构、表面形貌和光电......
二氧化钒是一种具有相变特性的过渡金属氧化物,能在68℃的相变温度点发生高温金属相和低温半导体相的可逆转变,同时伴随着电学和光......
采用简单的水热法结合热处理工艺,制备了高纯、形貌可控的纳米VO2(M)颗粒,得到了退火时间对颗粒形貌的影响,首次揭示了VO2聚乙二醇......
以固相合成法制备Bi0.5（Na0.80K0.20）0.5TiO3粉体,半干压成型后在1 170℃下保温3h,制得Bi0.5（Na0.80K0.20）0.5TiO3（BNKT）压电陶瓷.涂银浆......
采用射频磁控溅射方法和热处理工艺制备了二氧化钒（VO2）薄膜，并制作了金属钨／VO2／金属钨三明治结构，通过改变金属钨／VO2／金属钨三明治结构......
采用反应射频磁控溅射技术在熔融石英玻璃衬底上制备了组分单一的二氧化钒薄膜。在制备好的二氧化钒薄膜上使用半导体工艺制备了金......
对温度变化导致相变的蜡固，冰固及低熔点合金等夹具进行了分析，对电致相变技术进行了介绍，此外，对各种基于液固两相转变技术的机床夹具......
对温度变化导致相变的蜡固、冰固及低熔点合金等夹具进行了分析，对电致相变技术进行了介绍。此外，对各种基于液固两相转变技术的机床......
本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧......
