电荷存储效应相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

电荷存储效应相关论文

用C—V法观察介质—半导体界面的电荷存储效应

用ＳｉＮｘ作印化层的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ光电二极管和Ｎ沟道ＧａＡｓ的高频特性和电性能稳定性问题与ＳｉＮｘ－半导体界面的电荷存储效应有密切关系。......

期刊

C-V法半导体介质半导体界面电荷存储效应

基于自组装金属纳米晶MOS电容存储效应及其机理的研究

相对于传统的FLASH存储器而言,基于纳米晶(NCs)的非易失性存储器(NVM)因其离散俘获陷阱中心存储行为及对局部氧化层缺陷具有极大的......

学位

金属纳米晶存储器编程/擦除时间保持时间 C-V曲线电荷存储效应存储窗口平带电压偏移量

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