C-V法相关论文
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为......
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简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p-n结杂质浓度分布规律,但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性.基......
本文描述了近几年发展的电容—电压或电容频率测量技术,即相敏电容桥。该测量系统由计算机控制,测定频率范围为30Hz-10kHz、利用ST......
在光伏型红外探测器的生产中,扩散层的杂质浓度及其分布是十分重要的。及时了解杂质浓度及其分布,将有助于获得最佳性能的器件。本......
用ＳｉＮｘ作印化层的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ光电二极管和Ｎ沟道ＧａＡｓ的高频特性和电性能稳定性问题与ＳｉＮｘ－半导体界面的电荷存储效应有密切关系。......
本文叙述NY-1型电化学C-V自动测试仪的原理、结构、硬件和软件系统。以及对GaAs材料选用的电解液、电解液/GaAs结特性以及测试结果......
应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分......
本文提出了一种用于MOS界面测量的方法,能够测量半导体/氧化层界面的界面态密度、时间常数、俘获截面在禁带中的能量分布,还能够用......
a-Si:H/c-Si异质结太阳电池结合了薄膜硅的工艺优势与晶体硅电池的优点,具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景。影响a-Si:H/c-S......
鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文......
ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的光学、光电和电子输运等性质,在发光器件、激光器、压电传感器、气敏传感器、光电导......
