畴界相关论文
由于大面积合成的石墨烯的多晶本质,畴界是不可避免的.畴界的存在会严重地影响石墨烯的电子学的,热学的,以及力学的性质,这些都已......
畴是所有铁性材料的一个共同本质特性，畴及畴界的结构极大影响着材料性能。本文应用高分辨透射电子显微学和定量电子显微学，在原......
根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，他们发现并提出了畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间......
在该文中，利用ＰＭＰ工艺制备出高织构的Ｓｍ－１２３相样品，样品解理后，对解理面进行Ｘ光衍射分析与ＳＥＭ分析，证明解理面为ａ－ｂ平面，其相纯度高，解理面为一平面，不存在......
在石墨烯、二硫化钼等二维材料中，界面（畴界、晶界、层错等）结构极大地影响材料的性能和应用。超薄过渡金属碳化物(TMC)是一类新兴的......
用群理论分析了钙钛矿相BixCa1-xMnO3材料中的取向畴及畴界的显微结构.群论研究表明,当BixCa1-xMnO3由立方相转变为正交相时,会出......
<正> 自Okazaki提出陶瓷晶粒的壳-芯(grain shell—grain core)设想后,先后被我们和 Rawal_xHennings等在 SrTIO_3和 PTC型 BaTiO_......
综合介绍了最近国内外铁电材料内耗研究的实验及研究结果，对现有的理论模型进行了评述和讨论。......
利用扫描隧道显微镜(STM),研究了Si(111)表面的2×2、c2×4、9×9和11×11等各种亚稳态结构.与已经发表的研究结......
利用低温超高真空扫描隧道显微术研究了在NiAl（110）和Cu-Al（111）合金衬底上氧化生长的超薄氧化铝膜的畴界和厚度。在这两种氧化铝薄膜......
利用电子显微镜比较研究了SrBITaO(SBT),BiTiTaO(BTT),BiTiO(BTO),BiLaTiO(BLT),SrBiTiO-BiTiO(SBTi-BT)和SrBiTiO-BiLaTiO(SBTi-B......
提出了畴界与外场、晶格及缺陷间的互作用模型以及畴界间的互作用模型,并在该模型基础上,系统地解释了与畴界运动有关的介电损耗、......
本论文综合利用选区电子衍射（SAED）,高分辨像（HREM）,高角环形暗场扫描透射像（HAADF-STEM）,X射线能量色散谱（EDS）等电子显微学实验方法,对Al......
本文在研究对比２０９０、８０９０铝锂合金，７０７５、２０２４普通铝合金物理短裂纹扩展行为的同时，着重探讨了微量稀土元素钵对铝锂合金物理短裂纹扩展抗力的影响。......
1937年,意大利理论物理学家Ettore Majorana预言了自旋为1/2的中性费米子,其反粒子是它本身,并认为是一种基本粒子。之后人们把这......
利用电子显微镜比较研究了SrBi2Ta2O9（SBT）,Bi3TiTaO9（BTT）,Bi4Ti3O12（BTO）,Bi3.25La0.75Ti4O12（BLT）,SrBi4Ti4O15-Bi4Ti3O12（SBTi-BT）和SrBi......
