先以SiC（粒度分别为≤2．5、≤0．062mm）为主要原料，水溶性树脂为结合剂，经混练、成型、烘干后得到SiC坯体，再用MoSi：微粉（d50=3μm）掩埋SiC坯......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

本文采用直接熔渗法制备二硅化钼-碳化硅（MoSi2-SiC）复合材料。以碳化硅（SiC）（粒度为0～2.5 mm、≤240目）为主要原料,水溶性树脂为结合剂,......