砷化镓高电子迁移率晶体管相关论文
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GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs ......
近年来,无线通信市场的飞速发展对小型化、低功耗、低成本、高性能的收发机提出了大量的需求,使得射频集成电路越来越受到人们的重......
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