移相掩模技术相关论文
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米“T”型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻......
提高分辨率，增大焦深，是限制光学光刻发展的主要因素。本文通过对光学光刻现状及潜能的分析，说明光学光刻可实现亚半微米ＩＣ的工业化生产......
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。......
