第Ⅰ类哑铃畴相关论文
1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线(VBL)对作为信息的载体，以VBL对的有......
实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0......
实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴（IDs）的条泡转变现象．实验表明：1）存在3个特征直流偏场，即：条泡转变后的磁畴均为软泡的......
实验研究了直流偏场（Hb）和面内场（Hip）联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴（ID）畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的解体.通过实验得到......
研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和......
研究了直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴畴壁中VBL链的消失,即软化过程.实验发现,当直流偏场Hb＞Hsb'时,第Ⅰ类哑铃畴的......
