采用模型固体理论，在计入晶格失配造成的应变效应的情况下，计算了In1-xGaxAsyP1-y／InGaAsP单量子阱中电子和空穴的能带．结果表明：通过调......

采用模型固体理论计算了四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/In0.85Ga0.15As0.7P0.3/In1-xGaxAsyP1-y单量子阱系统中电子和空穴的能带结构,研......

四元混晶半导体材料具有两个独立的组分变量,同二元和三元材料相比,其晶格常数、禁带宽度和介电常数等物理性质可以通过改变混晶中......