自旋阀结构相关论文
采用多靶离子束溅射技术制备了NiO(110A)/FeNi(tA)/Cu(24A)/FeNi(tA)自旋阀结构的样品,钉扎的FeNi层的交换偏置场H随t的减小而增大......
电场对磁性的调控不仅涉及重要的科学问题,而且对高密度、低功耗的新一代信息存储具有重要的意义.自旋阀结构在磁头及磁性随机存储......
纳米尺度的赝自旋阀结构可在无外磁场的情况下发生电流感应磁化翻转效应，因而在构建非挥发存储器方面有着广泛的应用前景。本文......
本文实验研究了一种特殊的反对称自旋阀结构.随着外加磁场的增大,该结构纳米器件表现出了一种由"逆CIMS"向"正常CIMS"的转变.这种......
自旋电子学的研究开始于1988年巨磁电阻效应的发现。自旋阀和磁隧道结由于在硬盘磁头、磁随机存储器(MRAM)等实际应用上的巨大商业......
自1988年，M.N.Baibich等人在Fe/Cr多层膜中发现了巨磁电阻(GMR)效应以来，磁性多层膜尤其是自旋阀结构由于具有灵敏度高、能耗低、体......
基于多层膜巨磁电阻材料的磁阻传感器现已得到广泛应用，特别是以自旋阀结构多层膜为代表的磁性多层膜已成功应用于计算机硬盘的读写......
二维纳米材料因为奇特的表面物理特性和薄膜物理特性成为材料研究领域的热点，其中二维过渡金属硫化物材料更是因为具有高电子迁移率......
基于巨磁电阻效应(GMR),以铁磁金属(自由层)/非磁金属/铁磁金属(钉扎层)/反铁磁为基本结构的磁性自旋阀具有很高的磁场灵敏度,在磁......
会议
自旋转移效应不仅给出了一种使用自旋极化电流来调控薄膜磁性状态的新方法,而且预计将产生一批新型的电流驱动的纳米器件,因而受到......
通过线性展开包含自旋转移矩项的Landau-Lifshitz-Gilbert（LLG）方程,并且使用稳定性分析的方法,建立了垂直磁各向异性自旋阀结构中的......
自旋阀结构的发现为磁电子学以及磁传感器的研究揭开了新的一页。基于自旋阀结构的磁传感器由于具有灵敏度高、功耗小、高集成度等......
