磁性随机存储器相关论文
芯片测试在集成电路生产过程中扮演着举足轻重的环节,一个优秀的测试方案可以显著缩短从设计到产品的时间。随着社会的发展,一种新......
交换偏置效应(Exchange Bias Effect,EB)来源于系统中铁磁相与反铁磁相的交换耦合,在自旋阀、磁性随机存储器和磁性隧道结等方......
同磁性随机存储器(MRAM)、相变随机存储器(PcRAM)、铁电随机存储器(FRAM)一样，阻变随机存储器(RRAM)被看做突破常规半导体存储......
随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随......
自巨平面霍尔效应在稀磁半导体GaMnAs 中发现以来，人们在磁性传感器和磁性随机存储器领域提出了利用巨平面霍尔效应替代隧穿磁......
以[Co/Ni]多层膜作为磁性层的垂直磁化巨磁电阻(GMR)结构，除具有热稳定性好、翻转可靠、低临界翻转电流和无单元尺寸形状限制等......
基于MgO结构的磁性隧道结是磁性随机存储器(MRAM)和硬盘磁头(HDD Head)的核心结构和功能单元.但长久以来,由于MgO势垒带隙较大,在......
CrO2是一类重要的半金属材料,实验表明其具有～100％的自旋极化率[1],因此它在自旋电子器件,特别是磁性随机存储器(MRAM)中有重要应用.......
随着人们对存储技术要求的提高,基于自旋转移矩(STT)效应的磁性随机存储器(STT-MRAM)以其巨大的优势成为磁学领域研究的热点。作为......
德国芯片制造商英飞凌(Infineon)与美国IBM公司于6月10日联合宣布，他们开发出一种新型磁性随机存储器，可以大大提高电脑工作效率，尤其......
磁性随机存储器（MRAM）和集成磁产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可......
根据磁性随机存储器（MRAM）设计的实际需要，建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。利用该模型讨论了存储......
利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明，在不同的尺寸下，菱形单元将有不同的......
美国Freescale公司推出首款商品化磁性随机存储器产品，可以适用于众多新应用，包括网络、数据存储、汽车部件以及IT安全。该公司是业......
磁性随机存储器（MRAM）和集成磁（Integrated Magnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MB MRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域......
法国科学家Albet Fert和德国科学家Peter Gronberg因发现巨磁电阻效应（GMR）而获得2007年度诺贝尔物理学奖。通过介绍他们的突出贡献......
自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM:Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory)是一种基于材料的磁性来存储信息的新......
近年来,信息技术发展日新月异。互联网时代的浪潮还未远去,大数据、人工智能和物联网的新一代信息革命已经蓄势待发了,这带来了对......
MRAM（Magnetic RandomAccess Memory）是一种非挥发性的磁性随机存储器。这是一种创新的存储器技术,它与传统的DRAM、SRAM的工作原理......
日本东北大学的大野英男教授和俊介富卡米副教授的研究小组利用自旋轨道-转矩感应磁化转换研制出一项新结构的磁存储装置。这二十......
为了能够分析横向尺寸小于100nm的平面自旋霍尔存储单元的器件特性,通过引入椭圆薄膜磁体的退磁因子,建立了能够准确分析单元形状......
基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写......
当前，存储器发展的一个方向是朝着“利用新的物理规律，研发新的存储器结构”迈进，如相变存储器，电熔断存储器，阻抗存储器．磁性随机存储器......
本文介绍了国外近年来热门研究的磁性随机存储器(简称MRAM)的研究概况及发展趋势,在简要介绍磁阻效应基本原理的基础上,对磁性随机......
介绍几种有发展潜力的新型非易失存储器的原理,如铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器等,并在性能方面作了对比,......
数据存储器件是铁磁材料的主要应用方向之一。目前基于铁磁材料的数据存储器件主要有两类,分别是较为通用的硬盘驱动器(hard disk ......
通过分析磁性随机存储器（MRAM）的基本原理,及其与现有的静态存储器（SRAM）、动态存储器（DRAM）和快闪存储器（Flash）的性能比较,探讨了MRAM作......
