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五十多年来，半导体集成电路技术不断提高，向着高集成度、高性能、低功耗和多功能的方向发展。这得益于构成其基本单元的MOS器件特征......
SOI(Silicon On Insulator) CMOS技术以其功耗低、结电容小、速度高、工艺简单，并消除了体硅CMOS器件的闩锁效应等优点，逐渐成为CMOS......
本论文对MOS器件可靠性领域的重点问题进行了研究，主要包括三个方面的内容：驰豫谱技术及其在栅介质退化和失效研究中的应用；时间相关......
近年来，随着器件特征尺寸和栅氧层厚度的缩小，特别是进入超深亚微米阶段，PMOSFET的负栅压偏置不稳定（Negative bias temperature insta......
The shrinking silicon feature size causes the continuous increment of the aging effect due to the negative bias temperat......
MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2 nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电......
In wireless sensor network (WSN), the communication node is the heart of the whole system. Negative bias temperature ins......
