金属有机气相外延相关论文
利用金属有机气相外延(MOCVD)方法在R-面(1(1)02)蓝宝石衬底上生长了非极性的a-面(11(2)0)GaN薄膜.通过常温拉曼散射光谱的研究发......
本文通过时间分辨谱(TRPL)研究了采用金属有机气相外延(MOVPE)法生长的超薄AlAs界面层对Ge基GaInP外延层的超快光学特性的影响.低......
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碲镉汞(MCT)薄膜是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是目前制作高性能IRFPRs的最好材料.本文重点研究碲镉汞薄膜的金属有机气相外延掺杂生长的......
本文系统论述了碲镉汞薄膜材料的国内外研究情况，阐述了金属有机气相外延(MOVPE)的基本生长原理和具体的生长技术。论文从生长薄膜......
Ⅲ族氮化物材料物理和器件物理的研究，在制备高功率蓝光、白光和紫外光发光二极管(LED)，短波长激光器，紫外光探测器及高温电子器件等......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
报道了n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备及其发光特性.采用金属有机气相外延技术在Mg掺杂p型GaN衬底上外延n型ZnO薄膜以形成p-......
报道了n-ZnO／p-GaN异质结构发光二极管的制备及其发光特性．采用金属有机气相外延技术在Mg掺杂P型GaN衬底上外延n型ZnO薄膜以形成p-n......
ZnO材料的激子束缚能为60meV,是一种具有优越的光电性质的宽带隙半导体材料,在紫外探测器件和激光器等短波长光电器件方面具有重要......
本文第一次公布了 GaN:Mg 的金属有机气相外延生长法和它的发光性质,所用有机 Mg 气源是 Cp2Mg 或MCp2Mg。实验发现在 GaN 中的 Mg......
采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片，对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行......
AlxInyGa1-x-yN四元化合物半导体材料，通过调节Al和In的组分不但可以实现禁带宽度和晶格常数的独立调节，还可以与GaN缓冲层的热外延......
<正> 0102111非均匀有理 B 样条自由曲面的光顺检测[刊]/魏正英//西安理工大学学报.—2000,16(2).—179～182(D)Y2000-62185-213 010......
