铝镓砷化合物相关论文
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压MOVPE外延生长的硅δ掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As异质结构,其在15K和300K时的电子迁移率分别为2.6×105cm2/V·s和7300cm2/V·s,二维电子浓度分......
The photovoltage spectra of AlGaAs/GaAs multiple quantum wells at different vacuum have been measured and the vacuum sen......
期刊
本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布,阐明了GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射......
在MIp-AlxGa1-xAs结构的I层表面上,引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖,将p-Al1-xGaxAs层中的空穴感应至界面,可建立界面电子感应势......
Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs/GaAs/InGaAs quantu
Strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) was grown by low-pressure metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Growth......
对由AlyGa1-yAs,AlxGa1-xAs和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的......
本文研究了晶体X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系,外延层之间X射线衍射的非相干叠加以及热应力引起的晶格应变和晶面弯......