报道了常压金属有机化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）制备的Ｚｎ０．７Ｃｄ０．３Ｓｅ／ＺｎＳｅ单量子阱的光泵浦受激发射性质。在７７Ｋ下观测到了ｎ＝２的重空穴激子发光峰和ｎ＝１的重空穴激子吸收峰。在......

利用应力释放模型计算了 Zn Cd Se/Ga As间的临界厚度 ,并以该临界厚度为基础 ,用 MOVCD设备在Stranski-Krastanow (S-K)生长模式......

ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ超晶格的共振拉曼散射特性李文深池元斌＊李岩梅＊范希武申德振杨宝均王敬伯（中国科学院长春物理研究所，激发态物理开放实验室长春１３００２１）＊（吉林大......

利用应力释放模型计算了ZnCdSe/GaAs间的临界厚度，并以该临界厚度为基础，用MOVCD设备在Stranski-Krastanow(S-K)生长模式下，外延生长......

ｎ＝１重空穴激子和施主－受主对的光致发光在常压ＭＯＣＶＤ生长的Ｚｈ０．８５ ＣＤ０．１５Ｓｅ－ＺｎＳｅ应变超晶格中被观测到了。激子和施主－受主对发光峰值位置随着增加正向领导置电压......

近年来，随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］，对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２，３］，同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格......

通过在室温下ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ组合超晶格结构的电调制反射谱的测量，观测到分别来自两组晶格的跃迁，由曲线拟合出的跃迁能量与由包络函数近似计算得到......