SiO2层相关论文
究竟SiO2硅基板的表面状态与载流子迁移率的劣化有何关系，过去从未有过研究。由东京大学鸟海明和汐晃辅等人组成的研究小组，于2010年......
The dissolution mechanism of hemimorphite in NH3-(NH4)2SO4-H2O system at 298.15 K was investigated by X-ray powder diffr......
采用Ga在SiO2/Si系扩散途径，对扩Ga硅片进行了俄歇分析，在P型区未发现重金属杂质，表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用，而且......
用HF掺杂薄氧化物层的MOSFET和MOS电容具有优良的电学特性。在本文所研究的有效场范围内,这种器件的有效表面迁移率为一般器件的1.......
采用直接金属氧化法制备了SiC颗粒增强Al2O2-Al基复合材料,借助XRD和光学金相显微镜对该复合材料的组成及微观结构进行了观察,分析......
提出了一种核壳结构的Si@SiO2@NC(NC为N掺杂碳)复合材料用于改善锂离子电池硅基负极材料在充放电过程中硅的体积膨胀和导电性差而......
采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2／Si薄膜。通过X射线衍射（XRD）、电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）和傅立叶变换红外吸收光谱（FT-IR）对......
