通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材......

研究了非对称In_（0.53）Ga_（0.47）As/In_（0.52）Al_（0.48）As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻R_（xx）的Shubinikov-de Ha......