非极性面相关论文
ZnO因为具有较大的激子束缚能(大约60 meV),使其在紫外发光二极管和激光二板管方面具有了很好的应用前景.一般ZnO具有纤锌矿结构,沿[......
氧化锌(ZnO)因其高的室温激子激活能成为了紫外光电器件中极具潜力的半导体材料.ZnO 基发光二极管(LED)和激光器也得到了广泛研究.......
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们系统研究了GaN非极性(1100)m面及其邻面的外延生长的微观机制。研究表明:1)仅以热动......
作为第三代半导体的核心基础材料,ZnO具有非常优越的光电性能,其室温禁带宽度为3.37eV,自由激子结合能为60meV,已成为继GaN(自由激子结......
纤锌矿结构的Ⅲ族氮化物半导体材料体系的偏振光电子器件以其节能环保和使用寿命长等优势,在液晶背光源和量子通讯等领域有着广泛......
利用GaN晶体非极性面的发光元件的研发工作引起了众多业内人士的关注.与传统的发光元件相比,这种发光元件可以提高发光效率,并降低......
1 课题简介rn我国能源危机日益严峻,而半导体照明可大大达到节电目的.半导体照明技术广泛应用于白光通用照明、装饰照明、汽车等各......
本文通过分析A面(11-20)ZnO薄膜的低温PL(光致发光)光谱偏振特性来研究ZnO光致发光谱中杂质峰的来源。低温(4 K)下观察到476、479 nm两处......
文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介......
随着世界信息化技术的迅速发展,新型半导体材料取得了重大的进展,也促进了各种光电技术的飞速发展。由于光电子器件潜在的巨大市场,使......
ZnO的高达3.37 eV的禁带宽度、高达60 meV的激子束缚能和较高的载流子浓度使其成为一种极具发光应用潜力的半导体材料。近年来,许......
ZnO由于其优异的性能而在光电、压电、热电、铁电等诸多领域被广泛应用。自从上世纪90年代,ZnO薄膜在室温下发生光泵浦近紫外激光......
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