高压CMOS相关论文
在标准CMOS工艺中集成高压CMOS器件是低成本制作高压集成电路的一种方法,但该方法中存在一个高压器件栅氧厚度选择的问题.厚栅氧高......
设计出一种能与0.6 μm的标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构,并提出了具体的工艺实现方法--单阱非外延......
AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先高压CMOS专业制程平台。基于该高压平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵......
提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟，此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件......
设计出-种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时......
奥地利微电子公司是全球领先的高性能模拟IC和传感器芯片制造商．专为消费、工业、汽车应用行业服务。该公司今日宣布推出系统级封装......
飞思卡尔半导体和ELMOS半导体公司近日宣布双方正在联合开发创新的多芯片产品为下一代汽车系统提供更高的智能水平这两家行业领先......
采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构-HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非......
研制了与0．5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件．提出了具体的工艺制作流程—在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子......
介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻......
在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 -......
