【摘 要】
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本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优于1.2,隔离度大于30 dB.PIN二极管SPST开关单片的1 dB功率压缩点P-1大于1 W.GaAs PIN二
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京,210016
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本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优于1.2,隔离度大于30 dB.PIN二极管SPST开关单片的1 dB功率压缩点P-1大于1 W.GaAs PIN二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,(O)76 mm GaAs圆片工艺加工制作.
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