【摘 要】
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自从2004 年Hosono 小组在Nature 杂志上发表非晶IGZO 薄膜晶体管(TFT)以来,氧化物TFT 以其高迁移率、高均匀性、高透明性和可低温制备的优点[1],作为研究热点一直持续了十多年.2012 年IGZO TFT 的工业化量产成为氧化物TFT 走向未来新型显示的另一重要里程碑.但是,In 资源非常宝贵,其地球含量少且价格昂贵.
【机 构】
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复旦大学材料科学系,TFT-LCD 关键材料及技术国家工程实验室,上海 200433
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自从2004 年Hosono 小组在Nature 杂志上发表非晶IGZO 薄膜晶体管(TFT)以来,氧化物TFT 以其高迁移率、高均匀性、高透明性和可低温制备的优点[1],作为研究热点一直持续了十多年.2012 年IGZO TFT 的工业化量产成为氧化物TFT 走向未来新型显示的另一重要里程碑.但是,In 资源非常宝贵,其地球含量少且价格昂贵.
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