【摘 要】
：
本文主要介绍了采用“离子注入”和低温热处理等工艺研制高性能大面积PIN器件技术以及探测器的主要电学特性.高阻N型硅片上有源区面积为10×10mm和16×17mm的两种二极管实验样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流分别为1.31nA和2.96NnA,暗电流达到≤5nA的性能指标,端电容分别为≤50pF和≤120pF.器件的电学性能良好,在量能器等应用系统中是一种理想的光
【机 构】
：
北京大学微电子所 中国原子能研究院
【出 处】
：
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
论文部分内容阅读
本文主要介绍了采用“离子注入”和低温热处理等工艺研制高性能大面积PIN器件技术以及探测器的主要电学特性.高阻N型硅片上有源区面积为10×10mm<2>和16×17mm<2>的两种二极管实验样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流分别为1.31nA和2.96NnA,暗电流达到≤5nA的性能指标,端电容分别为≤50pF和≤120pF.器件的电学性能良好,在量能器等应用系统中是一种理想的光探测器元件.
其他文献
本文从磁电子学研究和发展出发,结合现今微电子学发展规律,分析讨论了磁电子学和有关应用,及磁电子学和微电子学相互结合,将会导致新的研究领域—微磁电子学.
本文主要介绍嵌入式微控制器的基本结构和嵌入式微控制器系列产品的开发方法.
本文介绍了国外A/D转换器的研究进展现状及我国开展A/D转换器研究取得的成果,并提出今后应重点关注的几方面问题.
蒙特卡罚方法作为适于研究热电子效应及量子效应对半导体器件影响的一种半导体器件计算机模拟方法,应用日益广泛.本文介绍了蒙特卡罗器件模拟的基本流程,物理模型和在深亚微米/纳米时雷特别考虑的问题.并给出了利用我们自主开发的蒙特卡罗器件模拟平台对肖特基二极管(SBD)和肖特基势垒隧穿晶体管(SBTT)的一些模拟结果.
本文介绍了一种具有多种保护功能的铁氧体移相驱动器的电路设计,内部电路设计有输入级、基准源、脉冲放大器、峰值比较器及锁存器、高频保护电路、电源低压保护电路、控制开关、门电路、驱动输出级等功能单元,保护功能完善,大大提高了系统的使用可靠性.
压阻式加速度传感器,简称压阻式加速度计,一般由质量快、悬臂梁和压敏电阻构成,是利用压阻效应来检测加速度的.压阻式加速度计有灵敏度高、稳定性好、制作简单等优点.本文提出了一种新型硅压阻式加速度传感器结构,该结构采用四个悬臂梁,这样既能够减小横向影响,又可以有效的利用由加速度产生的应力,使输出最大限度的响应输入.本文还介绍了版图设计和具体的工艺流水过程,在工艺过程中采用了一种新的双面对中方法,对悬臂梁
本文介绍了一种带扫描扩捕功能的模拟锁相环电路及其工作原理,分析了用场效应管作为电子开关构成扫描控制电路的工作机理,给出了扫描扩捕模拟锁相环关键参数的计算公式,制作了电路样品,并得到实验结果.实验证明,扫描扩捕使所设计的模拟锁相环的捕捉带大大提高.
本文介绍了一种基于KW16C03芯片的语言学习机制实现方法.用KW16C03设计的语言学习机有良好的音质、友好的人机界面,简单的硬件结构和低廉的成本.因此本文介绍的方法具有较强的实用价值.
光谱响应度和量子效率是光电探测器的重要参数.在研制大面积PIN二极管光电探测器过程中,需要及时测试,以调整工艺.对比对法测量探测器的量子效率是有一种实用有效的方法.本文介绍了PIN光探测器量子效率的测试方法及结果.