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本文对SIMOXSOI材料的顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性进行了分析计算,并对注入过程中影响注入能量和剂量的参数进行了改进和控制,结果表明,有效地保证了材料中顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性的指标.
SIMOX SOI晶片顶层硅、埋层厚度及均匀性的分析研究
【摘 要】
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本文对SIMOXSOI材料的顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性进行了分析计算,并对注入过程中影响注入能量和剂量的参数进行了改进和控制,结果表明,有效地保证了材料中顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性的指标.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2005年4期
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