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本文综合报道了南开大学采用高压耗尽RF-PECVD制备高效率微晶硅电池时几个关键问题的研究结果,主要包括器件质量级本征微晶硅材料工艺窗口的确定及其结构和光电性能表征；孵化层的形成机理以及减小孵化层的有效方法；梯度氢稀释法对本征层晶化率分布及其对提高电池性能的作用；高电导、高晶化率的微晶硅p型窗口层材料的获得及其对减小微晶硅电池p/i界面孵化层厚度和提高电池性能的作用等。最终采用高压耗尽RF-PECVD制备的单结微晶硅电池效率达8.16％,非晶硅,微晶硅叠层电池效率11.61％。