电荷有序锰氧化物Nd0.5Sr0.5MnO3中的异常各向异性磁电阻效应

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xufei777
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  掺杂的锰氧化物由于表现出庞磁电阻效应而被广泛研究[1],特别是半掺杂锰氧化物中出现的电荷有序、轨道有序态已经成为大家研究电子强关联体系中电荷、轨道、自旋等自由度之间相互作用的重要平台[2]。
其他文献
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探索了Φ-57 mm 一级轻气炮爆炸冲击对未磁化烧结钕铁硼永磁体的影响.冲击波在,6.26≤ P ≤7.16GPa 范围内时,磁体几乎完全失磁.冲击后磁体的矫顽力从冲击前的21.4 kOe 下降到3.2 kOe(图1),而磁体的比饱和磁化强度几乎没有变化.
具有极高磁晶各向异性(7×107org/cc)的L10-FePt,被认为是未来垂直磁记录介质的首选。它可以延缓超顺磁效应,预期能实现5-10 Tbit/in2的超高记录密度。但是高Ku材料L10-FePt 的翻转场却远远超过现有磁头的写入场,信息无法被记录。
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随着Nd-Fe-B 磁体需求量日益增加,探索Nd-Fe-B 废料高效回收利用的新方法可以有效缓解对稀土原材料使用量逐年增加的紧张局面。本文研究1T 的恒定磁场热处理对Nd-Fe-B 废料磁性能的影响。
会议
因CoFeB-MgO-CoFeB 隧道结所具有的超高隧道磁电阻率(TMR)及优异自旋转矩效应性能(STT)而一直备受研究人员的关注。要发展自旋转移矩型高密度磁随机存储器(STT-MRAM),必须降低磁存储单元中驱动其自由层磁矩翻转的临界电流[2]。为此,我们详细研究了CoFeB 薄膜中与临界电流密度成正比的材料阻尼特性。
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采用第一性原理研究了过渡金属掺杂ZnO 的磁性和ZnO 中掺杂离子对的成核行为,我们得到ZnO 中过渡金属离子对(Co,Fe,Ni 和Cu)最稳定的掺杂位型.计算首先表明各种浓度(3.7%,5.6%,12.5%和25%)Co 掺杂ZnO 中的Co 离子对并没有成核的趋势,即Co 离子对间距离越大,体系能量越稳定,这时铁磁耦合和反铁磁的能量几乎简并,在室温下表现出顺磁耦合,因为室温下的热扰动会打破C
长期以来,随着信息产业的不断发展,在自旋电子学领域的研究越来越受到人们的广泛关注。而在设计发展相关的磁存储器件时,人们发现利用传统手段,如外加磁场或基于自旋转移矩的自旋电流等,来控制纳米磁单元的磁化强度方向会造成较大的能量损耗。