磁隧道结相关论文
具有磁各向异性的二维磁性材料可在有限温度下和单层极限下形成磁有序,其宏观磁性与层数、堆叠形式等密切相关且其磁交换作用可被......
在无线通信、导航定位、雷达技术、环境遥感以及医学研究等领域,微波功率可用来表示信号特征、确定技术指标以及提高系统可靠性;在......
校准技术在集成电路设计领域一直以来都扮演着重要角色,对于传统的通用芯片设计而言,投入成本高,设计周期长使得一个完整的芯片设......
基于隧穿磁电阻效应（Tunnel Magnetoresistance,TMR）的磁传感器由于具有灵敏度高、体积小、成本低等突出优点,在弱磁探测领域应用前......
由卷曲的磁矩组成的涡旋态是软磁材料的一个基本平衡态，它广泛的存在于方形或者圆形的纳米材料中，并产生了丰富的物理现象。2000年，T.......
在半导体制备工艺向14nm节点发展的过程中,基于多晶硅的传统存储技术逐渐接近其极限,需要探索新型的存储技术。自旋转移力矩磁随机......
近年用电流驱动的自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)和自旋轨道矩磁随机存储器(SOT-MRAM)改变了传统的磁场驱动磁化翻转的方式,在......
由于人们对计算速度和存储能力的要求不断增加,现代微处理器的尺寸经历了惊人的微小化过程。集成电路被广泛应用于生活和生产的各......
基于自旋转移矩效应的新一代非易失性磁存储器融合了动态存储器的低成本、静态存储器的高速读写性能、闪存的非易失性三者的优势，并......
随着科技的发展和大数据时代的到来，信息已经成为人们正常生活中不可分割的一部分。大数据的记录使得小器件、大容量的存储器件成为......
随着信息技术与信息产业的迅速兴起，特别是多媒体计算机网络在全球的延伸和普及，人们需要存储、处理和传递的数据量呈几何级数式急剧......
80年代末人们在纳米尺度“铁磁/非磁”多层膜中发现了层间交换耦合和巨磁电阻．在此基础上发展起来的自旋阀巨磁电阻器件以其在低场......
隧穿磁电阻效应由于磁电阻效应大、耗能小等优点,在计算机硬盘的读出磁头、磁性随机存储器和各类磁传感器等方面有重要的应用价值．......
利用电子全息显微学方法,从理论和实验两方面,系统研究了磁隧道结势垒层的内势分布,指出了一些在实验过程中应予以注意的实验现象,......
磁隧道结通常是指由两层磁性金属和它们所夹的一层氧化物绝缘层(Ⅰ)所组成的三明治结构.通过绝缘层势垒的隧穿电子是自旋极化的,这......
自旋电子学在研究早期被称为磁电子学,是凝聚态物理中发展起来的新科学分支,主要研究金属和金属氧化物及半导体中电子的自旋极化,......
基于密度泛函理论的GGA计算,我们具体研究了Hg2 CuTi型Heusler合金Ti2 FeB的电子结构和磁性质,结果发现Ti2FeB合金在其费米面处存......
随着器件尺寸的缩小和集成度的不断提高,电子器件的发展正遭遇功耗以及尺寸极限等瓶颈。为突破这些瓶颈,许多新型的电子器件模型应......
利用磁控溅射设备和光刻技术，采用金属等离子体氧化法，设计制作了10μm×15μm的Co／Al2O3／FeNi磁隧道结，并在77K下对其输运特性进行......
磁电存储器不仅存取速度快、功耗小,而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身,因而已成为动态存储器研究领域的一个热......
近十年来国内对多层膜巨磁电阻效应的研究主要从金属多层膜、纳米颗粒膜、磁隧道结、氧化物薄膜四个方面展开,侧重研究了多层膜巨......
具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应.这一效应在氧化物自......
自第一代磁随机存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)问世以来,越来越多的科研人员开始着手磁随机存储器的研究。......
在概述隧道结巨磁电阻效应及其机理的基础上,综合介绍了多层薄膜结构、微颗粒膜结构和近年来出现的基于多晶隧道结结构的巨磁电阻......
伴随着电子器件的不断小型化，传统的硅基半导体电子器件即将面对各种量子效应的挑战，比如电子衍射，隧穿和干涉等效应。因此研究分子级......
本文主要概述了磁隧道结的机理，可知隧道结电阻的产生并非源于传导电子自旋相关散射，而是自旋相关遂穿过程。在此基础上，介绍了该材料......
磁电存储器不仅存取速度快、功耗小,而且集动态 RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身,因而已成为动态存储器研究领域的一个热......
磁隧道结（MTJ）虽然可以实现相当大的磁阻变化率,但是其噪声尤其是低频下的1/f噪声十分严重。为分析MTJ的噪声来源及大小,设计一套基......
采用磁控溅射技术制备了Ni80Fe20／Al2O3／Ni80Fe20磁性多层膜隧道结样品，并使样品在不同的温度下退火，研究了不同退火条件对样品隧道结......
采用磁控溅射技术制备了Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结样品,观测了该隧道结次伏安特性及隧道磁电阻的磁化曲线.研究了中间绝......
隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点,在磁随机存取存储器(MRAM)、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器......
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了以Ru,Cu,Pt和Ta为底层的Co Fe B/Pt多层膜样品,研究了各底层对Co Fe B/Pt多层膜的反常霍尔效......
为了降低自旋转移力矩磁随机存储器的写入功耗，提出了一种低电源电压写入电路．该电路利用列选和读写隔离相结合的方法，减小了写入支路......
自旋力矩转移磁随机存储器(Spin-Torque-Transfer Magnetic Random Access Memory, STT-MRAM)具有高速、非易失性和存储寿命长等特......
自旋电子学是一门新兴学科,是目前倍受关注的研究领域。众所周知,目前大部分的微电子器件、集成电路的处理单元等都是基于对电子电......
利用应变来调控材料宏观物理性质的过程,称其为“应变工程”(strain engineering)。研究表明,应变可以有效调控半导体材料的能带结......
随着电子学的发展,人们对电子元件的尺寸、功耗和信息处理速度等指标均提出了更高的要求。而材料是制备各种电子元器件的基础,其中......
电压调控磁各向异性磁隧道结(voltage controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)作为磁随机存储器(ma......
概述了近年来关于氧化镁磁隧道结磁电阻效应的最新研究进展,介绍了势垒层厚度、偏压、温度以及微结构等因素对磁电阻效应的影响。......
基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,研究平面型Co Fe B/Mg O磁隧道结的磁矩翻转特性.数值计算结果表明,Co Fe B......
首先致力于介绍Co基Heusler合金的结构特征、磁性来源以及独特的半金属能带结构，以揭示这些合金独特的电磁性质和在磁隧道结中的应......
期刊
基于磁隧道结(Magnetic Tunnelling Junction, MTJ)的磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)由于具有非易失性、存储......
Heusler合金是一类具有丰富物性的金属间化合物,如:磁电阻效应、大磁感生应变效应、半金属性以及含稀土元素的超导电性等。具有理......
