HfO2相关论文
GaN基HEMT器件由于在高频大功率应用方面具有突出优势,使之成为半导体器件领域的研究热点。然而肖特基栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件......
随着柔性电子概念的提出,人们纷纷将目光转向柔性电子器件的研发中,例如可穿戴设备,柔性太阳能电池和电子皮肤等。存储器方面,尤其......
集成电路的飞速发展促使半导体材料和工艺不断更新换代,对于MOS器件栅极介质材料也提出了更高的要求,传统的SiO2栅极氧化层已逐渐......
The impurities in two kinds of HfO2 materials and in their corresponding single layer thin films were determined through......
用电子束蒸发技术在晶体及激光陶瓷两种基底上沉积了氧化铪（HfO2）单层膜，采用掠角X射线衍射（GIXRD）技术和纳米划痕仪对薄膜的晶向结构和......
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO_2高介电质薄膜。系......
金刚石材料是超宽禁带半导体材料的代表之一,在高频高功率电子器件等领域有着广阔的应用前景。然而,金刚石材料掺杂难,目前的金刚......
由于航空发动机燃烧室工作温度的不断提高,推重比的不断增加,只使用高温合金作为叶片材料已经不能满足性能的要求,因此,高温防护涂......
近些年来,由于制备工艺简单、成本低、效率高等显著优点,钙钛矿太阳能电池越来越受到研究人员的广泛关注。而钙钛矿太阳能电池的光......
阻变存储器(RRAM)具有非易失性、低功耗、高密度、高速、与传统CMOS工艺兼容性好,是下一代主流非易失性存储器的有力竞争者。在阻......
电子信息行业发展日新月异,对电子器件的要求也在不断提高,特别是器件小型化和高敏度。传统的栅氧化物在器件发展过程中,不断暴露......
学位
高性能发动机要求具有高的推重比和大的推力,为了达到这一目的,重要手段是提高涡轮前燃气进口温度或加力燃烧室温度。现有的高温合......
采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用两种不同纯度的HfO2 材料与同一纯度的SiO2 材料组合 ,沉积λ/ 4规整膜系 (HL) 11H形成 2 6 6nm的紫外反射镜 ,发现反射率相差 0......
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉......
Ultra-thin hafnium-oxide gate dielectric films deposited by atomic layer deposition technique using HfCl4 and H2O precur......
研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响.高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700℃温度下......
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的......
采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计......
以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为......
薄膜材料库中的光学常数与实际制备的相比有很大差别,精确求解在特定工艺条件下的光学常数对设计和制备多层薄膜具有重要意义。在......
以Hf（SO4）2·4H2O和HCl配制HfO2前驱液，利用自组装单层膜技术，在OTS自组装单层膜的功能性基团表面制备晶态二氧化铪薄膜。研究了Hf......
研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明，退火后，界面层......
研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明，退火后，界面层......
采用反应磁控溅射方法，在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性，并进行了......
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微......
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双......
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生......
利用自组装单层膜技术，在玻璃基板上生长有机硅烷单分子膜层，以Hf（SO4）2·4H2O和HCl配制Hf02前驱液，通过液相沉积在硅烷的功能性官......
利用自组装单层膜技术，在玻璃基板上生长有机硅烷单分子膜层，以Hf（SO4）2·4H2O和HCl配制Hf02前驱液，通过液相沉积在硅烷的功能性官......
利用磁控溅射的方法在p-si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容，对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究......
利用磁控溅射的方法在p-si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容，对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究......
“2007年l1月，英特尔量产高k电介质45nm微处理器”。它表明高k电介质／金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是......
氧化铪（HfO2）介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法，对几种制备方法进行了比较，并分析了各种制备方法......
HfO2因具有大的介电常数、宽的带隙、低的漏电流、与Si的导带偏移较大且与Si的晶格匹配良好，在半导体工业领域获得了广泛的应用；同时......
HfO2因具有大的介电常数、宽的带隙、低的漏电流、与Si的导带偏移较大且与Si的晶格匹配良好，在半导体工业领域获得了广泛的应用；同时......
以1064nm波长作用下的HfO2/SiO2高反射薄膜为研究对象,研究了高反射薄膜在损伤生长过程中分层剥落初始损伤结构的变化规律、损伤形......
为了改善HfO2的阻变特性,提高氧空位(VO)导电细丝形成的一致性和均匀性,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了掺杂Al的......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法计算立方结构二氧化铪（HfO2）的平衡晶格常数、体积模量以及晶胞体积与晶格能量的关......
以硫酸铪和盐酸为原料，采用液相自组装技术，以十八烷基三氯硅烷（OTS）为模板制备了二氧化铪晶态薄膜。通过表面接触角测试仪观察有机层......
忆阻器(Memristor)作为第四种基本电路元件,被广泛应用于信息存储、逻辑运算、神经网络、机器学习等众多领域,成为现今研究热点。......
学位
研究了HfO2薄膜在CHF3/Ar和SF6/Ar等气体中的反应离子刻蚀机理.结果表明刻蚀气体的组分和射频偏压对刻蚀速率有较大影响,而气体流......
随着集成电路的快速发展，作为微电子学的一个关键器件——MOSFET，其特征尺寸不断缩小，但随之带来一系列问题。其中最引人关注的是，当等......
叙述了高κ介质材料替代传统SiO2作为栅介质是超大集成电路发展的必然趋势,总结了Hf基高κ材料基本性能、研究现状及制备方法,推荐......
本文采用化学分析、X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)等手段和方法,对铝热自蔓延还原氧化铪方法进行实验研究。结果表明,在物......
