在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速化研究

来源 :第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hanfeizifly

【摘要】

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本工作重点是在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频化学气相沉积1～4μm厚的a-Si薄膜(基底沉积温度为300℃,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N气保护中热退火,可使其

【作者】

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梁厚蕴林揆训石旺舟周甫方

【机构】

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汕头大学功能材料实验室(汕头)

【出处】

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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会

【发表日期】

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2001年期

【关键词】

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非晶硅薄膜快速晶化共熔温度热退火化学气相沉积多晶硅薄膜样品衍射分析玻璃基底沉积温度沉积速率气保护铝薄膜质量显示射线射频镀铝

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本工作重点是在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频化学气相沉积1～4μm厚的a-Si薄膜(基底沉积温度为300℃,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N<,2>气保护中热退火,可使其快速晶化成为多晶硅薄膜.结果表明:在铝薄膜的诱导下a-Si薄膜在温度550℃附近退火5min即可达到晶化,X-射线衍射分析显示样品退火30min形成的硅层基本全部晶化,且具有良好的晶化质量.

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