【摘 要】
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本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发光谱和光致荧光表征结果进行研究。InGaN插入层的应力调制作用和LED的多波长光学性质之间的关系被归结为在器件结构中出现的倒金字塔形深坑中心和外围区域之间的In组分涨落。而这些位于贯穿忙错尾端的深坑是由于InGaN插入层的应力弛
【机 构】
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人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学,北京 100871 上海蓝光科技有限公司,上海 51
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发光谱和光致荧光表征结果进行研究。InGaN插入层的应力调制作用和LED的多波长光学性质之间的关系被归结为在器件结构中出现的倒金字塔形深坑中心和外围区域之间的In组分涨落。而这些位于贯穿忙错尾端的深坑是由于InGaN插入层的应力弛豫过程所导致。
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