金属有机物化学气相外延相关论文
本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长InGaN合金薄膜,分析了富Ga组分和富In组分InGaN合金的晶体结构和光电学性质......
生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)......
本文对在硅衬底上生长和制备氮化镓基LED，特别是以MOCVD(金属有机物化学气相外延)晶体生长方法制备高亮度可见及紫外光(UV)LED技术......
研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射......
期刊
Ⅲ族氮化物材料具有耐高温、抗辐射、击穿电场强、电子迁移率高等物理特性,并且禁带宽度覆盖了近红外到紫外的光谱范围,已经被成功......
铝镓氮(AlGaN)是第三代新型宽禁带半导体材料的重要代表之一,其禁带宽度可以在3.4eV(GaN)到6.2eV(AlN)范围内连续可调,对应波长可......
