65nm体硅MOS的总剂量辐射效应研究

来源 :第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) | 被引量 : 0次 | 上传用户：hdmlb2008

【摘要】

：

本文主要对65nm MOS器件的总剂量效应引入的寄生结构以及加固方法进行了数值模拟研究.通过使用ISE TCAD软件对器件进行二维及三维仿真对65nm MOS器件的总剂量效应进行评估.特

【作者】

：

陈树鹏刘红侠卓青青王倩琼

【机构】

：

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安710071

【出处】

：

第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

【发表日期】

：

2014年10期

【关键词】

：

金属氧化物半导体器件总剂量辐射效应寄生结构加固方法数值模拟

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本文主要对65nm MOS器件的总剂量效应引入的寄生结构以及加固方法进行了数值模拟研究.通过使用ISE TCAD软件对器件进行二维及三维仿真对65nm MOS器件的总剂量效应进行评估.特别对两种依托于STI(浅槽隔离)的寄生结构进行了分析研究,找出了各自加固的合理性方法,为65nm MOS器件总剂量效应的实验研究以及加固方法提供了理论参考.

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