概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程.针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐......

　　利用正交设计法设计了实验方案，可通过较少的实验获得满意的实验结果。在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬......

本文介绍了Xilinx公司的CPLD XC95144和华微公司的CPLDHWD114144抗瞬时辐射的性能，通过在“闪光I”的对比试验可以得出这两种CPLD在......

本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在"闪光I"和Co辐照源的对......

介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可......

利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果。在＂强光一号＂上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐......

利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统,在＂强光一号＂加速器上进行了瞬时剂量率效应实验。实验研究采用的γ脉冲宽度为20ns,剂量率（以Si......

采用瞬时辐射敏感开关可避免电子器件在瞬时电离辐射环境下发生闩锁而失效或损毁.性能较好的开关须满足灵敏度高、抗辐射、抗干扰......

定性分析了SRAM型FPGA瞬时电离辐射功能错误,认为功能错误阈值与敏感配置位数无关。设计了两种敏感配置位数相差悬殊的由查找表和D......

借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究......

针对瞬时电离辐射效应考核中应用经典非参数法存在信息利用率低,评价结果过于保守的问题,本文在识别出瞬时电离辐射效应数据在统计......