【摘 要】
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本文主要研究了MOCVD生长GaMnN单层结构和GaN/GaMnN多层结构的磁学性质。两种结构的样品在室温下均显示铁磁性。更重要的是,同相同制备条件下的GaMnN单层结构的样品相比,虽然GaN/GMnN多层结构的饱和磁化强度略低,但是多层结构在经过高温热处理后具有很好的磁学热稳定性。从器件角度考虑,这对于在制备包含GaMnN材料器件的工艺过程例如p-型激活、欧姆接触合金过程等具有重要指导意义。同时
【机 构】
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北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京 100871,中国
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文主要研究了MOCVD生长GaMnN单层结构和GaN/GaMnN多层结构的磁学性质。两种结构的样品在室温下均显示铁磁性。更重要的是,同相同制备条件下的GaMnN单层结构的样品相比,虽然GaN/GMnN多层结构的饱和磁化强度略低,但是多层结构在经过高温热处理后具有很好的磁学热稳定性。从器件角度考虑,这对于在制备包含GaMnN材料器件的工艺过程例如p-型激活、欧姆接触合金过程等具有重要指导意义。同时,我们发现经过热处理后,GaN/GaMnN多层结构的矫顽力增大了三倍左右。我们通过结合结构性质,对产生这种现象的机制进行了讨论。
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