【摘 要】
：
本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学腐蚀测电容-电压(eCV-profile)以及俄歇电了能谱(AES)等方法对所得的样晶进行了表征测量。XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2 θ约为28.5°),表明得到的合金薄膜晶体取向单一,其晶体类型通过计算分析为4H型；粗
【机 构】
：
南京大学物理学系 江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京 210093 山东大学晶体材料研究所 晶
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学腐蚀测电容-电压(eCV-profile)以及俄歇电了能谱(AES)等方法对所得的样晶进行了表征测量。XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2 θ约为28.5°),表明得到的合金薄膜晶体取向单一,其晶体类型通过计算分析为4H型；粗略估算,合金薄膜中C含量约为3.7％；SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Sil-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀；利用电化学腐蚀电容电压(ECV)方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流了浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。
其他文献
根据长江流域水资源保护状况,以水环境承载力为理论基础,明确长江水资源保护的指导思想,提出长江流域水资源保护主要对策的近期实施的主要措施.
采用金属有机化学气相沉积技术在半绝缘InP衬底上制备了ZnO薄膜。在富氧及高温的生长条件下,衬底中的P原子通过热扩散进入ZnO薄膜。霍尔测试结果表明,直接生长的ZnO薄膜呈p型导电特性,其空穴浓度、电阻率及空穴迁移率分别为7.2×1017cm-3、7.7Ωcm和1.12 cm2/V·s。通过对变温光致发光谱和X射线光电子能谱(XPS)的分析,研究了磷在ZnO薄膜中的掺杂行为。在光致发光实验中我们发
本文讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征手段表明:随O2流量增加ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有所减少,晶体质量先提高后降低。PL显示随O2流量增大带内深能级发光带强度逐少增强,带边发光峰强度也有较大变化。薄膜光学质量先提高后退化。霍
四针状氧化锌晶须以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。本文介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备以及其吸波特性的研究进展。指出改性氧化锌晶须的制备和如何改善氧化锌晶须吸波特性已逐渐成为当前研究的重点,氧化锌晶须吸波机理有待进一步的研究,基于多层膜结构和角锥结构的吸波体的制备可能成为以后发展的重点方向。
采用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃和硅衬底上制备出了具有择优取向的透明ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外。可见吸收光谱仪分别对ZnO薄膜的结构、表面形貌及可见光透过率进行了分析。XRD结果表明,所制各的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的(002)和(101)两种取向,随着偏压增大,择优取向由ZnO(002)向ZnO(101)转变。SEM图表明,ZnO晶粒大小较为均匀,随偏压增加品粒尺寸有
本文使用水平热壁式化学气相沉积(hot-wall CVD)系统,固定C/Si,改变生长源流量,在偏向方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率、掺杂浓度的影响以及不同生长速率下外延薄膜表面形貌。
本文将硅离子注入到热氧化生长的二氧化硅层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强。由常规退火和快速退火样品的光致发光光谱的对比得出快速退火对纳米硅发光有增强的作用。本文对发光机制进行了探讨,认为其发光机理可归结为纳米硅/二氧化硅界面处Si=0键引
引入应力平衡的概念,成功地设计了真实衬底,模拟了Si/Si0.68Ge0.32的反射谱,并用MBE的方法在真实衬底上生长了高反射率Si/Si0.68Ge0.32反射镜,效率可达78％。X-ray双晶摇摆曲线表明,所得材料具有较高的质量,而倒易空间扫描图表明外延Si、Si0.68Ge0.32和Si0.853Ge0.147的中心并不在一条直线上,发现理论设计的应力平衡,在实际当中并没完全达到,生长参数
本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有(30～40)m的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象存相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。本文还利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均末发现漩
本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C合金层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C合金层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(76