【摘 要】
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为实现铁电薄膜和半导体硅的集成,本实验首先采用真空电子束蒸发法在Si(100)衬底上淀积一层为20nm层的AlO过渡层,接着在AlO过渡层上采用准分子脉冲激光淀积(PLD)法制备Pb(ZrTiO(PZT)铁电薄膜.X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发AlO能获得高质量的AlO薄膜.扩展电阻测试表明PZT薄膜的厚度大约为120nm.X射线衍射(XRD)测试说明,退炎前,PZT在Al
【机 构】
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中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室(上海)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
为实现铁电薄膜和半导体硅的集成,本实验首先采用真空电子束蒸发法在Si(100)衬底上淀积一层为20nm层的Al<,2>O<,3>过渡层,接着在Al<,2>O<,3>过渡层上采用准分子脉冲激光淀积(PLD)法制备Pb(Zr<,0.52>Ti<,0.48>O<,3>(PZT)铁电薄膜.X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al<,2>O<,3>能获得高质量的Al<,2>O<,3>薄膜.扩展电阻测试表明PZT薄膜的厚度大约为120nm.X射线衍射(XRD)测试说明,退炎前,PZT在Al<,2>O<,3>过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结构,600℃快速退火5分钟后,PZT在Al<,2>O<,3>过渡层上形成了高度(101)织构的铁电钙钛矿结构.原子力显微镜(AFM)测试显示:在2μm×2μm区域内,Al<,2>O<,3>过渡层的表面均方根粗糙度(RMS)为2.8nm;快速退火后,在5μm×5μm区域内,PZT薄膜的表面均方根粗糙度(RMS)大约为9.78nm.
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