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在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬底Ge组份、衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度等因素的影响较大；而对于500衄以上的沟道长度，可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。