【摘 要】
:
超宽带无线通信系统由于发送脉冲窄的特点.故信号快速同步捕获是它关键和难点技术之一。针对DS-PAM UWB系统,文章提出一种能够快速准确地获取同步的二次搜索算法。发送端重复发送接收端已知的训练序列,接收端首先通过粗搜索来大致确定信号区,在此区域内利用细搜索来确定同步时刻,并检验解调结果是否为已知的训练序列来检验是否真正达到了同步,若没有,则继续调整捕获相位直至获得准确同步。仿真结果表明,此方法能够
【机 构】
:
南京邮电大学通信与信息工程学院,江苏南京 210003
【出 处】
:
中国电子学会第十四届信息论学术年会暨2007年港澳内地信息论学术研讨会
论文部分内容阅读
超宽带无线通信系统由于发送脉冲窄的特点.故信号快速同步捕获是它关键和难点技术之一。针对DS-PAM UWB系统,文章提出一种能够快速准确地获取同步的二次搜索算法。发送端重复发送接收端已知的训练序列,接收端首先通过粗搜索来大致确定信号区,在此区域内利用细搜索来确定同步时刻,并检验解调结果是否为已知的训练序列来检验是否真正达到了同步,若没有,则继续调整捕获相位直至获得准确同步。仿真结果表明,此方法能够较快速并且准确地达到捕获的目的。
其他文献
本文提出了一种可用于压阻式硅微加速度传感器的结构设计,用两根平行的悬臂梁取代常规的单悬臂梁结构,这种双层悬臂梁结构有助于提高悬臂梁中的纵向压敏电阻的灵敏度。由于该结构属于静不定系统,所以采用虚功原理结合Maxwell-Mohr公式来进行理论分析。有限元仿真的结果验证了这种设计的可行性及理论分析的正确性。
本文阐述了GaAs PHEMT器件的一种主要失效机理——栅金属下沉效应,介绍了栅金属下沉的研究现状和常见研究方法,详细探讨了高温加速寿命试验下,GaAs PHEMT器件栅金属下沉的物理机制以及其对器件性能参数的影响。GaAs PHEMT器件的栅金属下沉主要是由于Ti/Pt/Au栅中的Ti向AlGaAs肖特基势垒层扩散引起的,从而使得栅与InGaAs沟道层间的距离减小,最终影响器件的典型DC特性和R
塑封器件在回流焊接过程中会发生塑封材料与内部芯片、框架、键合丝的界面脱离形成空洞,在使用中容易导致外界的水气入侵,影响器件的可靠性,分层是塑封器件的一种常见失效现象。本文通过对分层产生的失效机理进行了分析并用一个典型案例进行说明,同时提供了共性的塑封器件分层的快速评价与筛选方法及流程。
随着器件尺寸的进一步缩小,ESD加固设计变得更为突出。传统ESD设计是基于试验的反复设计,其设计周期长,效率低,基于CAD的ESD加固设计是目前研究的一个热点。本文介绍了几种可以提高ESD加固设计效率和正确性的CAD工具,并对不同工具的特性进行了说明。
本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSFET的NBTI寿命的因素主要有:应力时间t,应力温度T,负栅压应力Vgs,器件结构参数如沟道宽度W,沟道长度L。基于试验测量的结果,得到了阈值电压漂移量△Vth的寿命评价表达式,用来预测器件中由NBTI效应限制的寿命。
本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT、HEMT、SiC电子器件、真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况,提出了发展微波功率晶体管的几点想法,并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距进行了概述与展望。
热载流子注入效应是超大规模集成电路的主要失效机理之一,许多超大规模集成电路的失效都与热载流子注入效应有关。本文研究高温环境条件下的热载流子注入效应,通过设计的多晶加热板,采用改变电流的方式控制多晶加热板的温度,获得器件的高温工作环境。提取了热载流子注入效应的模型参数,并与室温下的热载流子注入效应进行了对比。结果表明,高温环境条件下的热载流子注入效应减弱,与预期的设想一致。
NMOS管I-V曲线在ESD脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。本文通过采用SILVACO软件,对不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使SiO2峰值场强增强,结峰值场强减弱,VH减小,VB减小,
本文提出了一种利用栅极耦合技术的改良型GCNMOS抗ESD设计技术,并将该技术的实际应用结构与传统的栅极接地结构进行了对比和实验,在TSMC 0.25工艺流片后测试抗ESD能力可达8kV。
本文首先介绍了计算质子单粒子翻转(SEU)率的三种模型——优质因素(FOM)模型、J.Barak的模型和Philippe Calvel的模型,然后对通过重离子数据计算质子翻转横截面以及SEU率的理论依据进行了说明,最后阐述了三种模型的适用范围并对比了它们的优缺点。