【摘 要】
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场电子发射在X射线管、微波管等真空电子器件中有显著的技术优势.我们应用化学气相沉积技术(CVD)，在含催化金属(主要是镍)基底上直接生长多壁碳纳米管(MWNT).由于MWNT优良
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
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场电子发射在X射线管、微波管等真空电子器件中有显著的技术优势.我们应用化学气相沉积技术(CVD)，在含催化金属(主要是镍)基底上直接生长多壁碳纳米管(MWNT).由于MWNT优良的结构与附着特性，该MWNT阴极具有优异的场发射性能，起始场强＜1.4 V/m；在约6 V/m下发射电流密度达到1A/cm2；在200 mA/cm2密度直流工作模式下，阴极能够连续稳定工作超过1000小时没有明显衰减.
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