【摘 要】
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经典的ＤＣ／ＤＣ变换器，象ｂｕｃｋ变换器、ｂｏｏｓｔ变换器、Ｂｕｃｋｂｏｏｓｔ变换器、Ｃｕｋ变换器和罗氏变换器，通常是由电感和电容组成。因为电路存在着电感，所有经典的变换器体积大而功率密度低，由于开关电容可以集成在功率半导体集成芯片上，所以它们被成功地应用于无感ＤＣ／ＤＣ变换器中，并开拓了设计高功率密度变换的方法，然后，在文献中已有的多数变换器都是单象限运行。其中一些工作在推挽状态下。它们的控制电
【机 构】
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坡南洋理工大学 )西安交通大学电气学院
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经典的ＤＣ／ＤＣ变换器，象ｂｕｃｋ变换器、ｂｏｏｓｔ变换器、Ｂｕｃｋｂｏｏｓｔ变换器、Ｃｕｋ变换器和罗氏变换器，通常是由电感和电容组成。因为电路存在着电感，所有经典的变换器体积大而功率密度低，由于开关电容可以集成在功率半导体集成芯片上，所以它们被成功地应用于无感ＤＣ／ＤＣ变换器中，并开拓了设计高功率密度变换的方法，然后，在文献中已有的多数变换器都是单象限运行。其中一些工作在推挽状态下。它们的控制电路和拓扑是很复杂的。该文介绍一种新型的变换器，通过开关电容，它可以实现二象ＤＣ／ＤＣ变换。由于这种变换器应用了电压举升和电流放大技术，所以它具有高功率密度、高功率传输效率和低电磁干扰等优点。实验结果证实它确定具备上述特点。
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本文对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明:在600℃~800℃范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100℃~150℃.并且依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2％和4％的Pt样品进行了分析.结果表明:掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi的转化温度,提
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