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本文对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明:在600℃~800℃范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100℃~150℃.并且依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2％和4％的Pt样品进行了分析.结果表明:掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi<,2>的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性.最后,制作了I-V特性良好的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管,更进一步地证明了掺少量的Pt改善了NiSi肖特基二极管的稳定性.