论文部分内容阅读
本文在研究分析SiGe材料实空间电荷转移器件(RST)的结构及原理的基础上,基于SiGe材料物理与电学特性建立了该器件的电流-电压特性模型,并进行了模拟分析,结果表明,模拟结果与实验结果符合较好.
实空间电荷转移(RST)器件研究
【摘 要】
：
本文在研究分析SiGe材料实空间电荷转移器件(RST)的结构及原理的基础上,基于SiGe材料物理与电学特性建立了该器件的电流-电压特性模型,并进行了模拟分析,结果表明,模拟结果与实验结果符合较好.
【机 构】
：
西安电子科技大学微电子所(西安)
【出 处】
：
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
：
2003年2期
其他文献
综述了各种GaAs表面处理技术尤其是硫钝化技术的发展、现状以及趋势.GaAs的各种硫化物钝化方法在改善GaAs表面特性和GaAs器件性能方面都具有一定效果,但是研究者们对硫钝化影响GaAs表面特性的机理还没有统一的认识.比如:陈溪滢认为硫钝化后GaAs器件性能的改善是由于钝化消除了表面态,使能带弯曲减小了;但有人发现负电荷表面态密度的增加有利于提高GaAs MESFET的击穿电压.笔者认为,硫钝化
本文报道采用升华法生长的大直径SiC单晶,升华过程是在低压高温下进行的,在解决了设备的稳定性和重复性问题后,得到可用来加工直径为两英寸晶片的6H-SiC单晶.同时还采用热力学理论分析了SiC的分解,结果表明在2300度附近的生长温度下,Si、SiC、SiC是Si-C热力学平衡下的主要物种,其平衡分压比同组分的SiC物种高出3个量级,因此它们是升华过程中的主要物种,其质量传输过程直接决定SiC的生长
新型非线性晶体—CLBO具有很好的非线性特性.实验表明CLBO晶体是理想的能产生紫外激光的新型光学材料.用CLBO晶体在调Q,Nd:YAG激光器上实现了波长为266nm,213nm,355nm和532nm的激光输出.
SOC测试需采用测试复用技术,测试策略的研发则是其研究的重要内容.本文先系统地分析和总结出SOC测试的关键问题,然后建立符合标准的概念性的SOC测试结构,接着以两种最常用的结构为例,说明SOC测试策略开发的具体方法,并按核测试标准语言(CTL)作以描述.本研究对规范化的SOC测试策略开发很有研究和应用意义.
用磁控溅射法制备ZnO:Al透明导电膜时,降低溅射电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻率.本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲时间、氧氩比、溅射气压等工艺条件对溅射靶电压和材料性能的影响.结果表明,延长反向脉冲时间是降低溅射电压的最有效方法.当反向时间由2
本文对比研究了夹层结构Ni/Pt/Ni分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性.实验结果表明:在600℃~800℃范围内,掺Pt的NiSi薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100℃~150℃.并且依据吉布斯自由能理论,对在Ni(Pt)Si薄膜中掺有2％和4％的Pt样品进行了分析.结果表明:掺少量的Pt可以推迟NiSi向NiSi的转化温度,提
本文采用拉曼光谱技术,在室温下,测量分析了原生SOS薄膜、固相外延(SPE)改进的SOS薄膜及新型双异质外延SOI Si/AlO/Si的拉曼晶格振动光谱,并与单晶硅进行了对比.通过拉曼光谱频移,分析计算了SOS及Si/AlO/Si薄膜的残存压缩应力.实验表明,采用固相外延工艺,SOS薄膜的残存应力状态发生了改变.固相外延工艺,可以减小SOS薄膜的残存应力.新型双异质外延SOI Si/AlO/Si薄
随着大规模集成化芯片上的器件尺寸微型化,为解决微小尺度的各种功能器件关键参数的直接提取及建立一种在线的综合检测与分析技术,该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性—比例差值特性.经过严格的理论与实验证明,只要代表元器件性能的函数满足比例差值谱函数定理,那么元器件的比例差值特性具有谱峰,其谱峰的数量,各谱峰的高度与位置决定了元器件的基本性质.为芯片的在线检测与
利用扫描电镜(SEM)观察了蓝宝石衬底和外延GaN层的位错缺陷,探索了衬底中位错和外延层位错形成的关系.并使用原子力显微镜(AFM)技术观察了蓝宝石衬底与GaN外延层界面的形貌.
在器件的微细化、复杂化和结构三维化日趋提高的今天,化学机械抛光.(CMP)是ULSI多层布线制备中唯一能提供全局平面化的技术.本文综述了化学机械抛光的基本工作原理、发展状况及应用前景.