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锗硅HBT生产中的参数控制和成品率控制
锗硅HBT生产中的参数控制和成品率控制
来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ashlilani3
【摘 要】
:
介绍了锗硅HBT生产中获得的关于参数控制与成品率控制方面的经验。论述了生产中的标准工艺模块及其监控手段,以及影响EB结击穿电压、β、接触电阻和微波参数等方面的因素,
【作 者】
:
王玉东
徐阳
窦维志
张伟
蒋志
刘志弘
【机 构】
:
清华大学 微电子学研究所,北京 100084
【出 处】
:
第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
2007年期
【关键词】
:
锗硅
HBT
生产
参数控制
成品率
微波参数
经验
接触电阻
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介绍了锗硅HBT生产中获得的关于参数控制与成品率控制方面的经验。论述了生产中的标准工艺模块及其监控手段,以及影响EB结击穿电压、β、接触电阻和微波参数等方面的因素,以及成品率控制方面的经验。
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