【摘 要】
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蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm。激光器的腔长为800μm,沿蓝宝石的(1-100)方向解理形成腔面。激光器的阈值电流和阈值电压分别为1.2A和10.5V,阈值电流密度为3.75KA/cm2。激光器的激射波长为405nm。室温脉冲电流下最大输出功率可达到2.6W。分析了n型串联电阻和载流子的侧向扩展
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所,集
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm。激光器的腔长为800μm,沿蓝宝石的(1-100)方向解理形成腔面。激光器的阈值电流和阈值电压分别为1.2A和10.5V,阈值电流密度为3.75KA/cm2。激光器的激射波长为405nm。室温脉冲电流下最大输出功率可达到2.6W。分析了n型串联电阻和载流子的侧向扩展对脊形区载流子不均匀分布的影响。模拟结果表明串联电阻起着关键作用,将脊形条分布在P区两侧靠近n电极处,可使四个脊形同时激射。
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