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以p型硅片为原材料，利用四探针测试其电阻率并将其分为0.5～3Ω·cm;3～6 Ω·cm;6～10 Ω·cm;>10 Ω·cm四类硅片，对其制作工艺进行探索，并通过少子寿命测试、方块电阻测试、电性能测试，暴晒衰减测试，对其各性能进行对比分析。研究表明：0.5～3 Ω·cm为太阳能电池制作最佳电阻率范围，但其衰减相对较大;而随着电阻率的升高，相同工艺下其转化效率有不同程度的降低，但其衰减随之减小。