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本文介绍了平面高压VDMOS的坛以及其特性，并在现有平面VDMOS工艺的基础上，通过辐照和重金属掺杂的方式，使器件的trr大幅降低，研制了稳定的低trrVDMOS产品，并对其软度因子及温度特性做了测试、比较。
平面高压VDMOS的反向恢复时间及其特性研究
【摘 要】
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本文介绍了平面高压VDMOS的坛以及其特性，并在现有平面VDMOS工艺的基础上，通过辐照和重金属掺杂的方式，使器件的trr大幅降低，研制了稳定的低trrVDMOS产品，并对其软度因子及温度特
【机 构】
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无锡华润华晶微电子有限公司 江苏 无锡 214061
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2014年期
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