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MOSFET总剂理加固强烈依赖工艺技术，对干氧方式下没条件制备的NMOS、PMOS管，分析其辐照响应，并借用亚阈值I-V技术分离氧化陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献 ，得出干氧抗总剂量加固较佳的工艺条件。
Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术研究
【摘 要】
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MOSFET总剂理加固强烈依赖工艺技术，对干氧方式下没条件制备的NMOS、PMOS管，分析其辐照响应，并借用亚阈值I-V技术分离氧化陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献 ，得出干氧抗总
【机 构】
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电子部24所(重庆)
【出 处】
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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1999年期
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